RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2780
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link