RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2055
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link