RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2863
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link