RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2863
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link