RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2831
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link