RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2889
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link