RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2607
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link