RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
49
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2607
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link