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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
49
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2607
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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