RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2734
2374
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link