RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.9
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2734
2374
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link