RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3169
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link