RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2907
3017
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link