RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
77
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
1440
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link