RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
23400
Wokół strony 1.09 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
23400
25600
Other
Opis
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2935
3526
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lenovo 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link