RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2320
2179
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link