RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1466
2480
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link