RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
2903
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link