RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
2341
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link