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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2301
2341
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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