RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
3394
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link