RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
48
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
4202
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link