RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
48
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
2346
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link