RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
2201
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link