RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
3786
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link