RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2865
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link