RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
3156
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link