RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3606
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link