RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3237
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link