RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2414
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link