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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.6
15.5
写入速度,GB/s
12.0
8.0
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2414
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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