RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
41
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2958
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link