RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1806
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link