RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1806
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link