RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3061
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link