RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2330
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link