SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 41

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 11.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.4 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 31
Скорость чтения, Гб/сек

11.6 14.9
Скорость записи, Гб/сек

7.3 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1438 2330

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Kingston KHX3000C16/16GX 16GB

Kingston KHX3000C16/16GX 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM