RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3676
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link