RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
48
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
48
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2196
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link