RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
48
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
48
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2196
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link