Comparação RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Pontuação geral

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

38 48

Por volta de 21% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.0 8.3

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.5 15.5

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2283 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns