Comparación de la memoria RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Puntuación global

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

38 48

En 21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.0 8.3

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2283 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns