Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 20.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,109.3 left arrow 17.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    18 left arrow 60
    Около -233% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 18
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,162.7 left arrow 20.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,109.3 left arrow 17.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    784 left arrow 3814
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения