Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

总分
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

总分
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 20.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,109.3 left arrow 17.2
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    18 left arrow 60
    左右 -233% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    60 left arrow 18
  • 读取速度,GB/s
    4,162.7 left arrow 20.4
  • 写入速度,GB/s
    2,109.3 left arrow 17.2
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    784 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较