Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 20.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,109.3 left arrow 17.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    18 left arrow 60
    Wokół strony -233% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    60 left arrow 18
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,162.7 left arrow 20.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,109.3 left arrow 17.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    784 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania