Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 20.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,109.3 left arrow 17.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    18 left arrow 60
    Rund um -233% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    60 left arrow 18
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,162.7 left arrow 20.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,109.3 left arrow 17.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    784 left arrow 3814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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