RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3837
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link