RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3837
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link