RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2319
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link