RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3061
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link