RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
41
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
1891
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link